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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 300MA SOT363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/2N7002DW_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431a5c32f2011ad94ed41363f2 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | 2N7002DW L6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 500mA,10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
| 其它名称 | SP000408436 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 300mA |